新洁能,超结-pg电子试玩

 因液晶屏本身没有发光功能，这就需要在液晶屏后加一个照面系统，该背光照明系统由发光部件、导光板和背光电源构成。tv背光电源功率一般为100-500w，其作用就是将市电的交流电压转换成12v的直流电压输出，从而向显示器供电。由于显示器内部的主板上还有dc-dc电压转换器以获得8v/5v/3.3v/2.5v电压，所以电源输出的12v的直流电压就能满足显示器工作的要求。一般拓扑结构会采用pfc、llc、sr、falyback、boost cc/cv拓扑等。

 新一代tv超薄的外形，对背光电源的小型化、轻薄化提出了挑战。新洁能提供了最丰富的表面贴装的高压和低压mosfet，具有良好的emi和出色的热性能。

pfc: 

sj-iii mosfet：v_ds=650-700v r_{on@10v（max）}=140mω-680mω

flyback：

sj-iii mosfet：v_ds=650-700v r_{on@10v（max）}=140mω-680mω

llc：

sj-iii tf mosfet：r_{on@10v（max）}=140mω-360mω

boost：

n-channel sgt-ii mosfet & n-channel sgt-i mosfet : v_ds=30v   r_{on@10v（max）}=1.65mω-6.4mω

sr：

n-channel sgt-ii mosfet & n-channel sgt-i mosfet : v_ds=40v-85v  r_{on@10v（max）}＜10mω 封装形式dfn、toll

n-channel sgt-ii mosfet & n-channel sgt-i mosfet : v_ds=85v     r_{on@10v（max）}=3.6-10.2mω

n-channel sgt-ii mosfet & n-channel sgt-i mosfet : v_ds=100v    r_{on@10v（max）}=3.0-95mω

n-channel sgt-ii mosfet & n-channel sgt-i mosfet : v_ds=150v    r_{on@10v（max）}=2-65mω

小信号mos：

normal trench：

p-channel trench mosfet：v_ds=-20v  i_d=-0.66a- -9a

p-channel trench mosfet：v_ds=-30v  i_d=-2a - -9.1a

n-channel trench mosfet：v_ds=20v   i_d=0.5a-8a

n-channel trench mosfet：v_ds=30v   i_d=2a-8a